今日，三星电子宣布已开始量产512gb封装容量的eufs 3．1闪存，可用于手机、平板等。
相较上一代eufs 3．0（512gb）闪存产品，新款的写速提升了200％，达到了惊人的1200mb／s，比用于pc的传统sata3 ssd（540mb／s）和uhs－i microsd存储卡（90mb／s），可谓巨大的升级，可消除8k、5g时代下的存储瓶颈。
其它性能参数还包括，连续读取速度可达2100mb／s，随机读取速度就100k iops，随机写入速度70k iops。
当然，这批新的eufs 3．1闪存还有128gb和256gb容量。
另外，三星还透露，其位于中国西安市的x2线则已于本月开始生产第五代v－nand（9x层），韩国平泽市的p1线将很快转向第六代v－nand闪存（1xx层）芯片的量产，以满足日益增长的市场需求。
此前，西部数据、铠侠（原东芝存储）也介绍了ufs 3．1闪存产品，但都是出样，没有达到量产程度。
